sdram实验_读写sdram
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sdram实验_读写sdram [2020/07/12 13:27] zgf |
sdram实验_读写sdram [2022/03/22 10:26] (当前版本) sean |
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| ^ 版本 ^ 日期 ^ 作者 ^ 修改内容 ^ | ^ 版本 ^ 日期 ^ 作者 ^ 修改内容 ^ | ||
| | V1.0 | 2020-07-12 | gingko | 初次建立 | | | V1.0 | 2020-07-12 | gingko | 初次建立 | | ||
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| * SDRAM的信号线如图所示： | * SDRAM的信号线如图所示： | ||
| - | {{ :icore4:icore4_arm_hal_37_1.png?direct |}} | + | {{ :icore4:icore4_arm_hal_37_1.png?direct&750 |}} |
| === 3、SDRAM存储单元 === | === 3、SDRAM存储单元 === | ||
| * SDRAM的存储单元（称之为：BANK）是以阵列的形式排列的，每个存储单元的结构示意图，如图所示： | * SDRAM的存储单元（称之为：BANK）是以阵列的形式排列的，每个存储单元的结构示意图，如图所示： | ||
| - | {{ :icore4:icore4_arm_hal_37_2.png?direct |}} | + | {{ :icore4:icore4_arm_hal_37_2.png?direct&600 |}} |
| * 对于这个存储阵列，我们可以将其看成是一个表格，只需要给定行地址和列地址，就可以确定其唯一位置，这就是SDRAM寻址的基本原理。而一个SDRAM芯片内部，一般又有4个这样的存储单元（BANK），所以，在SDRAM内部寻址的时候，先指定BANK号和行地址，然后再指定列地址，就可以查找到目标地址。 | * 对于这个存储阵列，我们可以将其看成是一个表格，只需要给定行地址和列地址，就可以确定其唯一位置，这就是SDRAM寻址的基本原理。而一个SDRAM芯片内部，一般又有4个这样的存储单元（BANK），所以，在SDRAM内部寻址的时候，先指定BANK号和行地址，然后再指定列地址，就可以查找到目标地址。 | ||
| * SDRAM的存储结构示意图，如图下所示，寻址的时候，首先RAS信号为低电平，选通行地址，地址线A0~A12所表示的地址，会被传输并锁存到行地址译码器里面，最为行地址，同时BANK地址线上面的BS0，BS1所表示的BANK地址，也会被锁存，选中对应的BANK，然后，CAS信号为低电平，选通列地址，地址线A0~A12所表示的地址，会被传输并锁存到列地址译码器里面，作为列地址，这样，就完成了一次寻址。 | * SDRAM的存储结构示意图，如图下所示，寻址的时候，首先RAS信号为低电平，选通行地址，地址线A0~A12所表示的地址，会被传输并锁存到行地址译码器里面，最为行地址，同时BANK地址线上面的BS0，BS1所表示的BANK地址，也会被锁存，选中对应的BANK，然后，CAS信号为低电平，选通列地址，地址线A0~A12所表示的地址，会被传输并锁存到列地址译码器里面，作为列地址，这样，就完成了一次寻址。 | ||
sdram实验_读写sdram.1594531644.txt.gz · 最后更改: 2020/07/12 13:27 由 zgf
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