1. 了解FSMC的复用模式及时序
2. 掌握ARM和FPGA基于FSMC复用模式的通信设计方法

1. iCore3 双核心板（ FPGA型号为EP4CE10F17，ARM型号为STM32F407IGT6）点击购买。
2. Blaster（或相同功能的）仿真器和USB线缆点击购买。
3. Micro USB线缆。
4. QuartusII开发软件（本实验中使用的是13.1版本）。

• 本实验要实现的目的是将ARM的FSMC外设连接到FPGA，并实现数据的传输。那么具体实验内容可以设计为将STM32F407连接到FPGA，并通过FSMC外设实现向FPGA发送和接受数据。FPGA并没有FSMC外设，要实现和STM32之间的通信，则必须对FSMC信号进行处理。本实验为了验证ARM和FPGA之间的数据传输是否正确，在STM32程序中自动生成数据，通过FSMC向FPGA写数据并读回进行对比判断。两组数据相同，说明通信正常，点亮绿色LED；不同，则说明通信异常，点亮红色LED。而FPGA除了对FSMC的信号进行处理，用于接收数据之外，还例化了RAM，用于缓存ARM发送的数据。
• 所以整体思路是ARM将FPGA内的RAM当成外挂存储器，通过FSMC向RAM中写入自动生成的数据，并读回进行对比，从而验证ARM和FPGA之间基于FSMC的通信。系统框架如下图所示：

• 这里主要讲一下FPGA对FSMC信号的处理。下图是FPGA和ARM之间的FSMC信号连接。

• WR和RD分别是写使能信号和读使能信号。
• CS0表示片选，低电平有效。
• NADV是地址有效信号，复用模式下区分DB线上传输的是否为地址数据。
• A[24:16]表示存储器地址数据。
• DB[15:0]双向传输IO口，即可双向传输数据，也可复用为地址线的低16位。

FSMC的复用模式

• 从图中可以看出，地址线只用了A[24:16]。ARM通过FSMC发送地址数据的时候，将数据线DB[15:0]和A[24:16] 同时作为了地址线。因为DB[15:0]既做为地址线，又作为数据线，为了区分DB[15:0]传输的是数据还是地址，使用了NADV信号。当NADV信号为低时，表示DB[15:0]被复用为地址线了，这就是FSMC的复用模式。

• 整个系统是ARM通过FSMC写和读FPGA内部RAM存储器中的数值。那么，要实现对FPGA内部RAM写和读的功能，FPGA需要要对FSMC信号进行接收和解析，并且要判断出FSMC传输的读写使能信号，并为RAM提供时钟信号。
• 首先是提取读写使能信号，代码如下：

//-------------------------rd_wr ----------------------------//	
	assign rd = (csn | rdn);
	assign wr = (csn | wrn);

• 其次则是根据FSMC时序，在nadv信号有效时期，接收向存储器RAM中写数据的地址信号。因为本例程采用的是FSMC复用模式，因此，address是由数据线和地址线上的信号拼接而成的。代码如下：

//-------------------------ab ------------------------------//
	reg [24:0]address;
	always @ (posedge nadv or negedge RST_n)
		begin
			if(!RST_n)
				begin
					address <= 25'd0;
				end
			else 
				begin
					address <= {ab,db};
				end
		end

• 下面这段代码中，先是对wr信号做了100MHz时钟延两拍处理，然后取反，结合（!rd）信号控制clk。wr信号延两拍取反是为了向RAM写数据时，clk的上升沿在数据的稳定期。取反是因为两个信号都是低电平有效，而RAM是高电平有效。或操作是将两个信号合成一个clk信号。因为wr和rd信号并不冲突，因此，读RAM和写RAM都可以通过这个clk来驱动。

//-------------------------clk ----------------------------//
	reg wr_clk1,wr_clk2;	
	always @(posedge PLL_100M or negedge RST_n)
		begin
			if(!RST_n)
				begin
					wr_clk1 <= 1'd1;
					wr_clk2 <= 1'd1;
				end
			else
				{wr_clk2,wr_clk1} <= {wr_clk1,wr};	//提取读写时钟
		end
 
		wire clk = (!wr_clk2 | !rd);
//将rd和wr信号结合起来，读写RAM操作都用此信号
//取反是因为两个信号都是低电平有效，wr延后2个100M时钟周期，是为了保证存储数据的时候，时钟的上升沿在数据的稳定期。

• 结合时序图理解可能更为清晰，下图是相关信号的波形图，可以参考此图对代码进行理解。

• 通过上图可以看到，wr信号和rd信号分别处于不同的时期，clk信号和（!rd）信号同步，和wr_clk2同步。且地址寄存器address的值和数据db的值符合程序设置。说明ARM成功通过FSMC读写RAM内的数据。

1. 将仿真器和iCore3双核心板连接。
2. 给开发板供电。
3. 将编译成功的FPGA代码和ARM代码分别下载到开发板。
4. 观察现象，亦可通过signalTap查看相关信号，判断时序和逻辑是否有误。

• 观察iCore3双核心板，可以看到ARM•LED和FPGA•LED均为绿色，表示实验成功。